加州大学伯克利分校的王枫教授、文旅斯坦福大学DavidGoldhaber-Gordon和复旦大学的张远波在ABC-TLG/hBN莫尔条纹超晶格中相关Chern绝缘子的实验观察。

研究者们采用射频磁控溅射法在Ge基底上制备非晶态的Mn掺杂SiGe薄膜，台经并通过非平衡态快速热退火（RTA）使其结晶。另一方面，济r加盟第IV族半导体材料，包括硅（Si）、锗（Ge）和硅锗合金（SiGe）等，是传统半导体产业的主流材料之一。

1998本科毕业于兰州大学物理系，文旅2001年硕士毕业于兰州大学材料系（导师王天民教授），文旅2006年博士毕业于美国宾夕法尼亚州立大学物理系（导师Prof.NitinSamarth），曾于哈佛大学、宾夕法尼亚州立大学、俄亥俄州立大学从事科学研究和学术交流活动。（c）退火样品AM1、台经AM2、AM3和未退火样品M2的GIXRD模式。济r加盟研究成果以题为HighCurieTemperatureFerromagnetismandHighHoleMobilityinTensileStrainedMn-DopedSiGeThinFilms发布在国际著名期刊Adv.Funct.Mater.上。

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