图11.具有P3HT二极管的PS:PCBM存储器件结构与性能(a)具有P3HT二极管的PS:PCBM存储器件的结构、个宜(b)柔性性能和(c)开关耐久性。

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(f)当fRF=1.5GHz、阿最便PRF=9dBm、fLO=1.4GHz时在柔性基板上混合器转换增益与LO功率的关系图。巴买投稿及内容合作可加编辑微信：cailiaorenkefu。世界(b)有源器件区域和放大图片的相应SEM图像。

个宜【图文导读】图1双层MoS2在熔融玻璃上的合成和形貌表征(a)用于在熔融玻璃上合成双层MoS2的CVD装置的示意图。美国(e)在1.85eV峰值处的PL光谱图。

(e)对于栅极长度为90nm的器件，老哥里巴辆全电压增益与频率的关系图。

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